双晶体 KD*P 普克尔斯盒
与半波电压取决于(电极之间的)长宽比的横向普克尔斯盒不同，纵向场普克尔斯盒的半波电压对于给定的波长是固定的，并且仅随普克尔斯盒的几何形状而微弱变化。对于大多数应用的高电压操作(例如1064nm的6kV)。一种解决方案是使用横模器件，对于某些应用这是合适的。然而，在许多情况下，只有纵向场器件才能提供正确的光学性能(特别是在需要更高消光比的情况下)。解决方案是将两个普克尔斯盒组合在一起，当由共同电压源驱动时，每个普克尔斯盒提供总旋转的一半。这种方法的逻辑结论是将两种晶体结合在一个封装中。这减少了损耗、整体尺寸、组件数量、校准和设置时间(然后成为制造商的工作!)。制作成一个复合器件，它以大约两倍的负载电容为代价，将所需的驱动电压减半。
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规格参数
| 参数 | 性能 |
| 孔径 | 8mm |
| 波长范围 | 0.3 ~ 1.2µm |
| 半波电压@ 1.06µm | 3.75kV |
| 最大电压 | 8kV |
| 光学上升时间 | < 0.25ns |
| 对比度@ 1.06µm | > 600:1 |
| 未接端电容 | ~20pf |
| Q开关损伤阈值 | 600MW/cm2 |
| 插入损伤 | 2 ~ 3% |
| 终端 | H.V.BNC 或 M2.5 螺柱 |
产品详情
标准和紧凑的可选，适合低电压下的Q开关和脉冲拾取。
与半波电压取决于(电极之间的)长宽比的横向普克尔斯盒不同，纵向场普克尔斯盒的半波电压对于给定的波长是固定的，并且仅随普克尔斯盒的几何形状而微弱变化。对于大多数应用的高电压操作(例如1064nm的6kV)。一种解决方案是使用横模器件，对于某些应用这是合适的。然而，在许多情况下，只有纵向场器件才能提供正确的光学性能(特别是在需要更高消光比的情况下)。解决方案是将两个普克尔斯盒组合在一起，当由共同电压源驱动时，每个普克尔斯盒提供总旋转的一半。这种方法的逻辑结论是将两种晶体结合在一个封装中。这减少了损耗、整体尺寸、组件数量、校准和设置时间。制作成一个复合器件，它以大约两倍的负载电容为代价，将所需的驱动电压减半。
产品特点
· 干式或液体填充
· 高功率处理
· 高消光比>1000:1
· 低光损耗
· 直径35mm、50mm封装
· 低波前失真
