横向磁场ADP, KD*P和铌酸锂模拟调制器

ADP

ADP调制器可以在从紫外线到可见光的所有波长下工作，最高可达900nm左右，并且基本上没有压电共振。这种调制器类型具有很好温度稳定性，在需要长时间直流波幅的地方，需要在恒温环境中工作。调制频率不受器件特性的限制，而是受其电容的限制，因此取决于所使用的驱动电路。宽频带AR涂层可用于所有组件，或者我们可提供液体填充版本，包括超高传输类型。

ADP设计的一个特点是，因为光学传播不是沿着对称轴，特别是偏振光“走偏”，所以需要使用四个匹配的晶体，适当的取向，以补偿走偏和静态双折射。这确实对最大传输有轻微的影响，因为与其他类型的调制器相比，有两倍的晶体表面。

KD*P

横向KD*P电光调制器能够提供比ADP类型获得的更高的热稳定性，主要是因为它们不需要相同的四晶排列。透射范围也扩展到1200nm左右，其消光比也优于ADP同类产品。但是，它有明显的压电特性，因此在数百kHz到低mhz范围内的高频调制中不是一个很好的选择，尽管使用共振阻尼技术可以改善性能。这些装置也可以提供干燥的合适的AR涂层或液体填充，以及超高传输版本。

铌酸锂

铌酸锂是一种高温生成的光学材料，与ADP和KD*P晶体不同，它不溶于水。虽然在500nm以下不能安全运行(到~800nm时，只能使用低光功率，请谨慎使用)，但在此范围以上，透射性良好，直到~4µm。为了获得最佳的热稳定性，最好使用z形切割晶体，并且没有静态双折射需要补偿。然而，双折射补偿x切割设计来获得更高的灵敏度。这种切割也用于不需要这种补偿的相位调制器。

铌酸锂具有很强的压电性，这可能限制其在某些需要良好时间性能的应用中的使用。